分光光度法從宏觀來看是利用物質(zhì)對不同波長光的選擇吸收特性而建立的分析方法。從微觀角度，基于分子內(nèi)電子的躍遷而產(chǎn)生吸收光譜。原子或分子的外層電子在未受光照射之前，電子能量均處于Z低能級，稱之為基態(tài)，當電子吸收光的輻射，產(chǎn)生電子能級的躍遷，形成吸收光譜。電子躍遷的能級差決定了吸收光譜的波長及位置，因此吸收曲線（峰形、峰位、峰數(shù)）可以作為物質(zhì)定性分析的依據(jù)。

　　材料的結(jié)構(gòu)影響其性能，對半導體材料的結(jié)構(gòu)進行表征，可以通過其電子能帶結(jié)構(gòu)解析材料的光電性能，因此對半導體材料的能帶結(jié)構(gòu)測試十分關(guān)鍵。

　　

　　光源的作用是提供激發(fā)能，使待測分子產(chǎn)生吸收。要求在整個紫外光區(qū)、可見光區(qū)和近紅外光區(qū)發(fā)射連續(xù)光譜，具有足夠的輻射強度、較好的穩(wěn)定性、較長的使用壽命。在可見光區(qū)及近紅外光區(qū)一般使用鎢燈作為光源，波長范圍320-3300nm；在紫外區(qū)一般使用氘燈作為光源，波長范圍185-320nm。